TK16J60W5,S1VQ

מספר מוצר של יצרן:

TK16J60W5,S1VQ

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TK16J60W5,S1VQ-DG

תיאור:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

תיאור מפורט:

N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

מלאי:

21 יחידות חדשות מק originales במלאי

12920898

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TK16J60W5,S1VQ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

600 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

15.8A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

230mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 790µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

43 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1350 pF @ 300 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

130W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-3P(N)

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

מספר מוצר בסיסי

TK16J60

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

TK16J60W5,S1VQ-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

TK16J60W5,S1VQ(O

264-TK16J60W5S1VQ

חבילה סטנדרטית

25

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TK17A65W5,S5X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1500CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK1K0A60F,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK49N65W,S1F

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2