מספר מוצר של יצרן:
TK25S06N1L,LXHQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK25S06N1L,LXHQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Surface Mount DPAK+
מלאי:
3605 יחידות חדשות מק originales במלאי
12938295
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK25S06N1L,LXHQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
855 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK+
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
TK25S06
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK25S06N1LLXHQDKR
264-TK25S06N1LLXHQTR
TK25S06N1L,LXHQ(O
264-TK25S06N1LLXHQCT
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSI4N60BTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
RJK6026DPP-90#T2F
N-CHANNEL POWER MOSFET
SFU9034TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
