מספר מוצר של יצרן:
SSI4N60BTU
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SSI4N60BTU-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
50126 יחידות חדשות מק originales במלאי
12938297
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSI4N60BTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
920 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-SSI4N60BTU
FAIFSCSSI4N60BTU
חבילה סטנדרטית
634
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RJK6026DPP-90#T2F
N-CHANNEL POWER MOSFET
SFU9034TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2749UT1A-E2-AY
N-CHANNEL POWER MOSFET