מספר מוצר של יצרן:
TK20J60W,S1VE
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK20J60W,S1VE-DG
תיאור:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
מלאי:
21 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920884
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK20J60W,S1VE מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1680 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
165W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P(N)
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
TK20J60
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK20J60WS1VE
TK20J60W,S1VE(S
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK20E60W5,S1VX
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH2R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR