מספר מוצר של יצרן:
TK3R9E10PL,S1X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK3R9E10PL,S1X-DG
תיאור:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
71 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920888
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
9h0n
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK3R9E10PL,S1X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
96 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6320 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
230W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TK3R9E10
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK3R9E10PL,S1X(S
264-TK3R9E10PLS1X
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK17A65W,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR