מספר מוצר של יצרן:
TK20J60U(F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK20J60U(F)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 190W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
מלאי:
12889318
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK20J60U(F) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
DTMOSII
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1470 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P(N)
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
TK20J60
מידע נוסף
שמות אחרים
TK20J60UF
TK20J60U(F)-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK39J60W5,S1VQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
25
DiGi מספר חלק
TK39J60W5,S1VQ-DG
מחיר ליחידה
6.10
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCA22N60N
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
545
DiGi מספר חלק
FCA22N60N-DG
מחיר ליחידה
4.38
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
562
DiGi מספר חלק
STW24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK16J60W,S1VE
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
44
DiGi מספר חלק
TK16J60W,S1VE-DG
מחיר ליחידה
2.22
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
TK290A65Y,S4X
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
