מספר מוצר של יצרן:
TK16J60W,S1VE
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK16J60W,S1VE-DG
תיאור:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
מלאי:
44 יחידות חדשות מק originales במלאי
12966139
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK16J60W,S1VE מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 790µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P(N)
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
TK16J60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK16J60W,S1VE(S
264-TK16J60WS1VE
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA