מספר מוצר של יצרן:
SUD90330E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUD90330E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12966157
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUD90330E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
ThunderFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1172 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SUD90330
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SUD90330E-GE3DKR
SUD90330E-GE3TR
SUD90330E-GE3CT
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STO68N65DM6
N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5
SIR514DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SQJA26EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
