מספר מוצר של יצרן:
TK18E10K3,S1X(S
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK18E10K3,S1X(S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12889644
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK18E10K3,S1X(S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
U-MOSIV
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TK18E10
מידע נוסף
שמות אחרים
TK18E10K3S1XS
TK18E10K3S1X(S
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK110E10PL,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
171
DiGi מספר חלק
TK110E10PL,S1X-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
TK5A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
TK22A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
