מספר מוצר של יצרן:
2SJ681(Q)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SJ681(Q)-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Ta) Through Hole PW-MOLD2
מלאי:
12889660
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SJ681(Q) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PW-MOLD2
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
2SJ681
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
200
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K341TU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A UFM
SSM3J16CT(TPL3)
MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
SSM6K404TU,LF
MOSFET N-CH 20V 3A UF6
