מספר מוצר של יצרן:
TK18A50D(STA4,Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK18A50D(STA4,Q,M)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 18A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
19 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891210
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK18A50D(STA4,Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK18A50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK18A50D(STA4QM)
TK18A50DSTA4QM
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF19NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
982
DiGi מספר חלק
STF19NM50N-DG
מחיר ליחידה
1.99
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDPF18N50T
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
FDPF18N50T-DG
מחיר ליחידה
1.50
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDPF18N50
יצרן
onsemi
כמות זמינה
6866
DiGi מספר חלק
FDPF18N50-DG
מחיר ליחידה
1.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDPF20N50T
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
FDPF20N50T-DG
מחיר ליחידה
1.61
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPC8A05-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
