מספר מוצר של יצרן:
TK160F10N1L,LQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK160F10N1L,LQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
מלאי:
12891217
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK160F10N1L,LQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
160A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
122 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10100 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SM(W)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
TK160F10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK160F10N1L,LXGQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
8900
DiGi מספר חלק
TK160F10N1L,LXGQ-DG
מחיר ליחידה
1.53
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK2P60D(TE16L1,NV)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
SSM3K16CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C
TK7P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 7A DPAK
