מספר מוצר של יצרן:
TK10A80E,S4X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK10A80E,S4X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
101 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890809
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK10A80E,S4X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVIII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK10A80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK10A80E,S4X(S
TK10A80ES4X
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
2SK2989,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
TPH6400ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
