מספר מוצר של יצרן:
TPH6400ENH,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH6400ENH,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 13A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
17990 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890818
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH6400ENH,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
64mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH6400
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH6400ENHL1QCT
TPH6400ENHL1QDKR
TPH6400ENH,L1Q(M
TPH6400ENH,L1QDKR
TPH6400ENH,L1QTR-DG
TPH6400ENH,L1QCT-DG
TPH6400ENH,L1QTR
TPH6400ENH,L1QDKR-DG
TPH6400ENHL1QTR
TPH6400ENH,L1QCT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK4016(Q)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
