מספר מוצר של יצרן:
T2N7002AK,LM
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
T2N7002AK,LM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
611252 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891382
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
T2N7002AK,LM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.35 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
17 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
320mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
T2N7002
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
T2N7002AKLM(BDKR-DG
T2N7002AK,LM(T
T2N7002AKLM(BTR
T2N7002AK,LM(B
T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BCT-DG
T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLMCT
T2N7002AKLMDKR
T2N7002AKLMTR
T2N7002AKLM(BTR-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK2866(F)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
SSM3K17SU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
