מספר מוצר של יצרן:
SSM6N67NU,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6N67NU,LF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-µDFN (2x2)
מלאי:
10805 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889453
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6N67NU,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate, 1.8V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
310pF @ 15V
הספק - מקס'
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-WDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
6-µDFN (2x2)
מספר מוצר בסיסי
SSM6N67
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6N67NU,LF(B
SSM6N67NULFTR
SSM6N67NULFDKR
SSM6N67NU,LF(T
SSM6N67NULFCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6N44FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6N16FE,L3F
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
SSM6N35AFU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6