מספר מוצר של יצרן:
SSM6N16FE,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6N16FE,L3F-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
מלאי:
7720 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889461
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6N16FE,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.1V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9.3pF @ 3V
הספק - מקס'
150mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
SSM6N16
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6N16FE,L3F(B
SSM6N16FEL3FCT
SSM6N16FEL3FTR
SSM6N16FEL3FDKR
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6N35AFU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
SSM6N7002BFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
SSM6P35FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
