מספר מוצר של יצרן:
SSM6P35FE,LM
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6P35FE,LM-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6
מלאי:
12889538
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6P35FE,LM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12.2pF @ 3V
הספק - מקס'
150mW
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
SSM6P35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6P35FELM
SSM6P35FE,LM(T
SSM6P35FE,LM(B
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6N35FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
SSM6N62TU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
SSM6P35FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
