מספר מוצר של יצרן:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6N35AFE,LF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
מלאי:
87942 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889399
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6N35AFE,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.34nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
36pF @ 10V
הספק - מקס'
250mW
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
SSM6N35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6L14FE(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
