מספר מוצר של יצרן:

SSM6K208FE,LF

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

SSM6K208FE,LF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6

מלאי:

4000 יחידות חדשות מק originales במלאי

12890524

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SSM6K208FE,LF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.9A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

133mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

1.9 nC @ 4 V

VGS (מקס')

±12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

123 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

500mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

150°C

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

ES6

חבילה / מארז

SOT-563, SOT-666

מספר מוצר בסיסי

SSM6K208

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

SSM6K208FE Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים

SSM6K208FELFTR

SSM6K208FELFDKR

SSM6K208FE,LF(CA

SSM6K208FELFCT

חבילה סטנדרטית

4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCC8001-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC6104(TE85L,F,M)

MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

diodes

DMG3415UFY4Q-7

MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV