DMG3415UFY4Q-7

מספר מוצר של יצרן:

DMG3415UFY4Q-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMG3415UFY4Q-7-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

תיאור מפורט:

P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3

מלאי:

53259 יחידות חדשות מק originales במלאי

12890531

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMG3415UFY4Q-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

16 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.5A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

39mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

10 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

282 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

650mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

X2-DFN2015-3

חבילה / מארז

3-XDFN

מספר מוצר בסיסי

DMG3415

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMG3415UFY4Q-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMG3415UFY4Q-7DIDKR

DMG3415UFY4Q-7DICT

DMG3415UFY4Q-7DITR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

TPCP8001-H(TE85LFM

MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK