מספר מוצר של יצרן:
SSM5G10TU(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM5G10TU(TE85L,F)-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
מלאי:
40 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889139
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM5G10TU(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
U-MOSIII
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.4 nC @ 4 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
250 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
UFV
חבילה / מארז
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
מספר מוצר בסיסי
SSM5G10
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
SSM3K37MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TK290A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS