מספר מוצר של יצרן:
TK10P60W,RVQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK10P60W,RVQ-DG
תיאור:
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
5042 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889141
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK10P60W,RVQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
80W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
TK10P60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK10P60WRVQDKR
TK10P60WRVQCT
TK10P60W,RVQ(S
TK10P60WRVQTR
TK10P60WRVQ
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K37MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TK290A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
TK290P60Y,RQ
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
