מספר מוצר של יצרן:
SSM3K376R,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3K376R,LF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23F
מלאי:
6792 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889369
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3K376R,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.2 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+12V, -8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23F
חבילה / מארז
SOT-23-3 Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
SSM3K376
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3K376RLFTR
SSM3K376RLFDKR
SSM3K376RLFCT
SSM3K376R,LF(T
SSM3K376R,LF(B
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK25A60X5,S5X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
TK3R1E04PL,S1X
MOSFET N-CH 40V 100A TO220
TK25A60X,S5X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
