מספר מוצר של יצרן:
TK3R1E04PL,S1X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK3R1E04PL,S1X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
63 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889374
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK3R1E04PL,S1X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
U-MOSIX-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4670 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
87W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TK3R1E04
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK25A60X,S5X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
SSM3J118TU(TE85L)
MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
