מספר מוצר של יצרן:
SSM3J325F,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J325F,LF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
מלאי:
17726 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891149
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J325F,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
270 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
S-Mini
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SSM3J325
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J325FLFTR
SSM3J325FLFCT
SSM3J325F,LF(T
SSM3J325F,LF(B
SSM3J325FLF
SSM3J325FLFDKR
SSM3J325F,LF(A
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPC8132,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
TK58E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV