TPH4R50ANH,L1Q

מספר מוצר של יצרן:

TPH4R50ANH,L1Q

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPH4R50ANH,L1Q-DG

תיאור:

MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

מלאי:

12716 יחידות חדשות מק originales במלאי

12891156

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPH4R50ANH,L1Q מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSVIII-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

60A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

58 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5200 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOP Advance (5x5)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPH4R50

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TPH4R50ANH,L1Q(M

TPH4R50ANHL1QDKR

TPH4R50ANHL1QTR

TPH4R50ANHL1QCT

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH8R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2989(TPE6,F,M)

MOSFET N-CH TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

TK380P60Y,RQ

MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK55S10N1,LQ

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK