מספר מוצר של יצרן:
RN2116MFV,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN2116MFV,L3F-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
מלאי:
15987 יחידות חדשות מק originales במלאי
13275900
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN2116MFV,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
PNP - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
4.7 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
10 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
50 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
הספק - מקס'
150 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-723
חבילת מכשירים לספקים
VESM
מספר מוצר בסיסי
RN2116
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-RN2116MFVL3FTR
264-RN2116MFVL3FDKR
RN2116MFV,L3F(B
264-RN2116MFVL3FCT
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1101MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1410,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM