RN1410,LF
מספר מוצר של יצרן:

RN1410,LF

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN1410,LF-DG

תיאור:

TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

מלאי:

4500 יחידות חדשות מק originales במלאי
13275903
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN1410,LF מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
4.7 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250 MHz
הספק - מקס'
200 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
חבילת מכשירים לספקים
S-Mini
מספר מוצר בסיסי
RN1410

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
264-RN1410LFTR
RN1410,LF(B
264-RN1410LFCT
264-RN1410LFDKR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1106MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2410,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1310,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM