מספר מוצר של יצרן:
RN1971FE(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1971FE(TE85L,F)-DG
תיאור:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
מלאי:
12889362
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1971FE(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
10kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
-
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
RN1971
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1971FE(TE85LF)TR
RN1971FE(TE85LF)CT
RN1971FE(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RN1111MFV,L3F
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
7278
DiGi מספר חלק
RN1111MFV,L3F-DG
מחיר ליחידה
0.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
EMH4T2R
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
22408
DiGi מספר חלק
EMH4T2R-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NSBC114TDXV6T1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
6880
DiGi מספר חלק
NSBC114TDXV6T1G-DG
מחיר ליחידה
0.05
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1909,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
