מספר מוצר של יצרן:
RN1701JE(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1701JE(TE85L,F)-DG
תיאור:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
מלאי:
9461 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889375
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1701JE(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
4.7kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
4.7kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
30 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-553
חבילת מכשירים לספקים
ESV
מספר מוצר בסיסי
RN1701
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1701JE(TE85LF)CT
RN1701JE(TE85LF)TR
RN1701JE(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
RN2703,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
RN2713JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
