מספר מוצר של יצרן:
2SK3128(Q)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SK3128(Q)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 60A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
מלאי:
12889288
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SK3128(Q) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2300 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P(N)
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
2SK3128
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TPH11003NL,LQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
2298
DiGi מספר חלק
TPH11003NL,LQ-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK15A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
TK25E06K3,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3
2SK2995(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3PIS
