מספר מוצר של יצרן:
SSM3J35CTC,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J35CTC,L3F-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
מלאי:
14955 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889295
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J35CTC,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 100µA
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
42 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
CST3C
חבילה / מארז
SC-101, SOT-883
מספר מוצר בסיסי
SSM3J35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J35CTCL3FDKR
SSM3J35CTCL3F
SSM3J35CTCL3FCT
SSM3J35CTCL3FTR
SSM3J35CTC,L3F(B
SSM3J35CTC,L3F(T
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK13A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
DMT32M5LFG-13
MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
SSM3K7002KF,LF
MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
