מספר מוצר של יצרן:
2SJ360(F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SJ360(F)-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
מלאי:
12889634
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SJ360(F) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
730mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
155 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PW-MINI
חבילה / מארז
TO-243AA
מספר מוצר בסיסי
2SJ360
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK18E10K3,S1X(S
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
TK5A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS