מספר מוצר של יצרן:
CSD75205W1015
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD75205W1015-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 1.2A 750mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
מלאי:
12795140
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD75205W1015 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Texas Instruments
אריזות
-
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.2A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
850mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
265pF @ 10V
הספק - מקס'
750mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-UFBGA, DSBGA
חבילת מכשירים לספקים
6-DSBGA (1x1.5)
מספר מוצר בסיסי
CSD75205
מידע נוסף
שמות אחרים
296-25335-1
296-25335-2
-296-25335-1-DG
296-25335-1-NDR
296-25335-6
296-25335-6-NDR
-CSD75205W1015-NDR
296-25335-2-NDR
-296-25335-1-NDR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD75208W1015
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
12037
DiGi מספר חלק
CSD75208W1015-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EPC2100
GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
EPC2110ENGRT
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE