מספר מוצר של יצרן:
EPC2100
Product Overview
יצרן:
EPC
DiGi Electronics מספר חלק:
EPC2100-DG
תיאור:
GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
מלאי:
230 יחידות חדשות מק originales במלאי
12795178
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EPC2100 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
EPC
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
eGaN®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
חבילת מכשירים לספקים
Die
מספר מוצר בסיסי
EPC210
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
917-1180-6
917-1180-1
917-1180-2
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EPC2110ENGRT
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
