מספר מוצר של יצרן:
EPC2108
Product Overview
יצרן:
EPC
DiGi Electronics מספר חלק:
EPC2108-DG
תיאור:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
מלאי:
1074 יחידות חדשות מק originales במלאי
12795183
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EPC2108 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
EPC
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
eGaN®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
תצורה
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V, 100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
9-VFBGA
חבילת מכשירים לספקים
9-BGA (1.35x1.35)
מספר מוצר בסיסי
EPC210
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
917-1169-1
917-1169-2
917-1169-6
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
