EPC2107

מספר מוצר של יצרן:

EPC2107

Product Overview

יצרן:

EPC

DiGi Electronics מספר חלק:

EPC2107-DG

תיאור:

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

תיאור מפורט:

Mosfet Array 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

מלאי:

5527 יחידות חדשות מק originales במלאי

12795189

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

EPC2107 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

EPC

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

eGaN®

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

GaNFET (Gallium Nitride)

תצורה

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.7A, 500mA

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

הספק - מקס'

-

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

9-VFBGA

חבילת מכשירים לספקים

9-BGA (1.35x1.35)

מספר מוצר בסיסי

EPC210

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

917-1168-2

917-1168-1

917-1168-6

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

epc

EPC2111

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

epc

EPC2103

GANFET 2N-CH 80V 28A DIE

epc

EPC2101ENGRT

GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE

epc

EPC2100ENGRT

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE