מספר מוצר של יצרן:
CSD23202W10T
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD23202W10T-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
מלאי:
15659 יחידות חדשות מק originales במלאי
12818467
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD23202W10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
900mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.8 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
-6V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
512 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-DSBGA (1x1)
חבילה / מארז
4-UFBGA, DSBGA
מספר מוצר בסיסי
CSD23202
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
דף מוצר היצרן
מידע נוסף
שמות אחרים
296-38338-6
296-38338-1
296-38338-2
חבילה סטנדרטית
250
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
IRFR18N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRF4104S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK