מספר מוצר של יצרן:
IRFR18N15DPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFR18N15DPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
מלאי:
12818470
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFR18N15DPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFR18N15DPBF
SP001571416
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD6NF10T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4791
DiGi מספר חלק
STD6NF10T4-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF4104S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF2807S
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
CSD16401Q5T
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
