CSD19535KTTT
מספר מוצר של יצרן:

CSD19535KTTT

Product Overview

יצרן:

Texas Instruments

DiGi Electronics מספר חלק:

CSD19535KTTT-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

מלאי:

8373 יחידות חדשות מק originales במלאי
12795595
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

CSD19535KTTT מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7930 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (DDPAK-3)
חבילה / מארז
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
מספר מוצר בסיסי
CSD19535

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
דף מוצר היצרן

מידע נוסף

שמות אחרים
296-41135-6
296-41135-2
296-41135-1
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
texas-instruments

CSD19531Q5AT

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

texas-instruments

CSD17552Q5A

MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON

texas-instruments

CSD13201W10

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

microchip-technology

DN2535N5-G

MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3