CSD19531Q5AT
מספר מוצר של יצרן:

CSD19531Q5AT

Product Overview

יצרן:

Texas Instruments

DiGi Electronics מספר חלק:

CSD19531Q5AT-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

מלאי:

6402 יחידות חדשות מק originales במלאי
12795596
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

CSD19531Q5AT מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3870 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-VSONP (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
CSD19531

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
דף מוצר היצרן

מידע נוסף

שמות אחרים
296-37749-6
296-37749-2
296-37749-1
חבילה סטנדרטית
250

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
texas-instruments

CSD17552Q5A

MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON

texas-instruments

CSD13201W10

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

microchip-technology

DN2535N5-G

MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3

microchip-technology

DN3545N8-G

MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA