מספר מוצר של יצרן:
STW28N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW28N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12879541
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW28N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW28
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15575-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCH190N65F-F155
יצרן
onsemi
כמות זמינה
415
DiGi מספר חלק
FCH190N65F-F155-DG
מחיר ליחידה
2.95
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW65R190C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
220
DiGi מספר חלק
IPW65R190C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.69
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCH170N60
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
11513
DiGi מספר חלק
FCH170N60-DG
מחיר ליחידה
2.97
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH50N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
386
DiGi מספר חלק
IXFH50N60P3-DG
מחיר ליחידה
5.53
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH30N60X
יצרן
IXYS
כמות זמינה
107
DiGi מספר חלק
IXFH30N60X-DG
מחיר ליחידה
6.12
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
STB16NS25T4
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
STW12NK60Z
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
