מספר מוצר של יצרן:
IPW65R190C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R190C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
220 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805488
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R190C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 290µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1150 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
72W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R190
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPW65R190C7XKSA1
SP001080142
INFINFIPW65R190C7XKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IRFB7437GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
