מספר מוצר של יצרן:
IPI65R110CFDXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI65R110CFDXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12805494
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI65R110CFDXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
118 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3240 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
277.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI65R110CFD-DG
2156-IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFD
INFINFIPI65R110CFDXKSA1
SP000896398
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STI33N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STI33N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.72
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6725MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
IRF1407S
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IPW50R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
