IRF6725MTRPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6725MTRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6725MTRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12805495

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6725MTRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

28A (Ta), 170A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.2mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.35V @ 100µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

54 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4700 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 100W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MX

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MX

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6725MTRPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001526964

IRF6725MTRPBFDKR

IRF6725MTRPBF-DG

IRF6725MTRPBFCT

IRF6725MTRPBFTR

חבילה סטנדרטית

4,800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRF1407S

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

infineon-technologies

IPW50R199CPFKSA1

MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3

infineon-technologies

IRFR48ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFHM831TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN