בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
STSJ100NH3LL
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STSJ100NH3LL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12879631
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STSJ100NH3LL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
STripFET™ III
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4450 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC-EP
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
STSJ100N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
STSJ100NH3LL
מידע נוסף
שמות אחרים
497-5785-6
STSJ100NH3LL-DG
497-5785-1
497-5785-2
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI4842BDY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1589
DiGi מספר חלק
SI4842BDY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.94
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD65NF06
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
STD90N4F3
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STF8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
STP2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220