STP2N80K5
מספר מוצר של יצרן:

STP2N80K5

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STP2N80K5-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 2A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220

מלאי:

1680 יחידות חדשות מק originales במלאי
12879644
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STP2N80K5 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH5™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
95 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP2N80

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
497-14279-5
-497-14279-5
STP2N80K5-DG
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO

stmicroelectronics

STDLED656

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

stmicroelectronics

STL18N55M5

MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW60NM50N

MOSFET N-CH 500V 68A TO247