מספר מוצר של יצרן:
STP9NK80Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP9NK80Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 7.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12878932
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP9NK80Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
84 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP9N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-5133-5
-497-5133-5
1805-STP9NK80Z
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFB9N65APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
912
DiGi מספר חלק
IRFB9N65APBF-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD5NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STD30N10F7
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
