מספר מוצר של יצרן:
STD12NF06L-1
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STD12NF06L-1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
1913 יחידות חדשות מק originales במלאי
12878942
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STD12NF06L-1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
STripFET™ II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STD12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
STD12NF06L-1-DG
497-6730-5
STD12NF06L1
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STW18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO247
STF10N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
